الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS123L
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS123L-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12848756
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS123L المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
170mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
21.5 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
360mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS123
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
BSS123L
ورقة بيانات HTML
BSS123L-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2156-BSS123L-OS
BSS123LDKR
BSS123LTR
BSS123LCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BVSS123LT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
16032
DiGi رقم الجزء
BVSS123LT1G-DG
سعر الوحدة
0.05
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS123-7-F
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
288176
DiGi رقم الجزء
BSS123-7-F-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS123_R1_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
16184
DiGi رقم الجزء
BSS123_R1_00001-DG
سعر الوحدة
0.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
BSS123TA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
8804
DiGi رقم الجزء
BSS123TA-DG
سعر الوحدة
0.07
نوع الاستبدال
Upgrade
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AOTF7T60PL
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
AOW12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO262
AOI418
MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO251A
AOW29S50
MOSFET N-CH 500V 29A TO262