رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
FQD3P50TF
Product Overview
المُصنّع:
onsemi
رقم الجزء DiGi Electronics:
FQD3P50TF-DG
وصف:
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
وصف تفصيلي:
P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
المخزون:
12847187
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
FQD3P50TF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
onsemi
تعبئة
-
سلسلة
QFET®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
660 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252AA
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
FQD3
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQD3P50TM
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
FQD3P50TM-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FQAF17P10
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
FQA70N10
MOSFET N-CH 100V 70A TO3PN
NTD4959N-35G
MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK
